新SMC3通電磁閥選擇要點(diǎn)

產(chǎn)品型號(hào)： VG342-3DZ-10A

所屬分類：SMC電磁閥

更新時(shí)間：2025-03-04

簡(jiǎn)要描述：SMC3通電磁閥選擇要點(diǎn)
反轉(zhuǎn)、夾緊、吸著。這些功能，要充分發(fā)揮作為潔凈搬送的性能時(shí)，有
必要對(duì)①發(fā)塵②沖擊③固著④防靜電⑤吸著痕跡各要素及其復(fù)合要
素采取對(duì)策。

聯(lián)系我們 在線咨詢

全新SMC3通電磁閥選擇要點(diǎn)

減少潔凈室內(nèi)的微粒。
根據(jù)工件發(fā)塵量可分為1~4個(gè)。
根據(jù)清潔室內(nèi)的清潔程度選擇使用。
使用氟素系潤(rùn)滑脂。
使用帶電防止袋并雙層密封。 
無銅/無氟/
無硅系列
＋低發(fā)塵 21-/22-  ##限制使用銅/氟/硅材質(zhì)的環(huán)境下使用。
使用鋰皂基系潤(rùn)滑脂。
尺寸與潔凈系列。
密封為普通密封(不采用雙層密封)。
無銅/氟離子系列 
名稱 系列 特長(zhǎng)/規(guī)格
無銅離子/無氟素系列在限制銅離子氟素的環(huán)境下使用。
外形尺寸與標(biāo)準(zhǔn)件。
離子注入
將可控?cái)?shù)量的離子(硼、
磷)注入到硅片上，高
溫?cái)U(kuò)散后，使得其電化
學(xué)性能顯著改變。

全新SMC3通電磁閥選擇要點(diǎn)

光掩膜形成
將IC回路投射到光掩
膜版上，為下一步的曝
光做準(zhǔn)備。刻蝕
——顯像，僅未被曝光部分
的感光膜被保留。接著，將
其浸入腐蝕液中，或者暴露
在氣體離子體中，僅曝光
部分被腐蝕，氧化膜上出現(xiàn)
穿孔，硅片上的硅面便顯現(xiàn)
出來。CMP（平坦化）
將硅片表面研磨成
鏡面狀,便成為IC
用的硅片。。搬送工件時(shí)，因始動(dòng)及行程末端的沖擊，可能會(huì)對(duì)工件有影響。緩和該
沖擊、保護(hù)工件、減輕發(fā)塵、提高率是我們所追求的。
按搬送系統(tǒng)的目的，按功能可分成搬運(yùn)、進(jìn)給、推壓(固定)、提升、回轉(zhuǎn)

CDM2B20-25Z 

SY9220-4D-03 AC220V 

VXD245HZ1B

CD55B63-50M   

CM2B25-65Z

VQZ3221-5Y1-02

VQZ3121-5Y1-02

3C-IS10-01-6L

CS2D160-300  SMC

VFR6110-5DZ-10 SMC